国度学问产权局信息表示，株洲中车期间半导体股份有限公司恳求一项名为“半导体功率器件的制备范例和半导体功率器件”的专利，公开号CN122180368A，恳求日历为2026年1月。

专利选录表示，本发明波及半导体本领规模，具体提供一种半导体功率器件的制备范例和半导体功率器件。半导体功率器件的制备范例包括：提供基底层，基底层包括有源区和环绕有源区的终局区；在基底层的名义酿成图形化掩膜；图形化掩膜阴事至少部分终局区的名义；对基底层的名义未被图形化掩膜阴事的区域进行刻蚀科罚，以使至少部分终局区的厚度大于所述有源区的厚度，且使有源区获得观点厚度；去除图形化掩膜，基底层的有源区的名义低于终局区的名义且与终局区的名义呈台阶结构。在保证半导体功率器件的导通特色匹配（即有源区的厚度为观点厚度）的情况下，变相的加多终局区的厚度，从而兼顾半导体功率器件的导通特色和招架穿才气的特色。

天眼查贵府表示，开云·体育中国官网株洲中车期间半导体股份有限公司，斥地于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物成品业为主的企业。企业注册成本564763.3598万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车期间半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标花式4718次，专利信息642条，此外企业还领有行政许可146个。

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